杭州某半导体技术电子器件制造出厂，晶圆生产步骤中所产生含硅、氟的层次性废水进行处理方法步骤除理工艺，设定除理规模较1200吨/日。废水进行处理方法步骤除理工艺化学物质多样化，有nm级硅小粒及盐酸，民俗除理方法步骤易于符合标准。 污废水 组成及主要来源 主要影响物 ：氢氧化铁硅（100-500nm粒度分布）、氟正离子（200-300mg/L）、异丙醇 的来源环节 ：晶圆刻蚀污废气 （45%）、CMP生物机器打蜡 污废气 （40%）、专用设备擦洗水（15%） 治理 方法步骤流程 研发采取"物理化学积累+特殊工种膜溶合"能力规划： 钙盐积淀 ：加药氯化钙避开氟铁离子（导出CaF2结晶） 二沉池的反应 ：包覆斜管沉淀池剂确保氢氧化铁硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm孔经膜挤占微细粒子 反渗入系统化 ：脱盐率>98%，回笼率75% 蒸发器成果 ：浓水段改变氟化物零排出 终极效果好 氟化物氧浓度：<8mg/L（降到地方一级通过成绩基准10mg/L） 硅分子量：<5mg/L 水环境资源回收率：70%用作待方形冷却塔保湿补水 危废处理减轻：减压蒸馏渣子量较传统文化生产工艺削减60%